总投资60亿澳门金莎娱乐网站 英诺赛科宽禁带半

2019-11-13 17:23 来源:未知

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近日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。

澳门金莎娱乐网站,6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩,一期总投资60亿,产品覆盖低压至高压半导体功率器件和射频器件,立志在长三角地区打造集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体基地,填补我国高端半导体器件的产业空白。

据介绍,英诺赛科由海归创业团队创立,专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高科技企业,掌握多项核心专利技术。2017年年底,英诺赛科在珠海成功建设完成了我国首条八英寸硅基氮化镓量产线,实现了历史性的突破,填补了我国在这一领域的空白。

据介绍,英诺赛科由海归创业团队创立,是集合了来自美国、韩国、台湾地区等地知名企业的众多精英并由招银国际、吴江产业投资等国内知名PE机构投资组成的高科技企业,在第三代宽禁带半导体全产业链各个环节拥有多年研发与产业化经验,掌握多项核心专利技术。继八英寸硅基氮化镓项目于2017年底在珠海市成功通线以来,英诺赛科获得半导体行业和投资界的广泛认可和关注。

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