厚积薄发:国产存储芯片崛起!

2019-10-27 01:39 来源:未知

电工电气网】讯

随着智能手机、智能家居、智能汽车等新兴市场的崛起,存储芯片开始成为集成电路产业的主力,更进一步成为半导体行业发展的主要驱动力。在这样一个重要的领域中,国产厂商究竟有多少话语权、国产闪存离我们又有多远呢?

近几年间,全球内存闪存芯片不断走高,购买电脑,手机的成本不断增加,让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投入生产,也就是说在2019年,国内闪存内存芯片即将实现国产化。根据市场的一般规律,国产化存储芯片的出现也代表了明年存储芯片的价格会出现下降。

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这三家芯片厂商分别是长江存储、福建晋华集成电路公司,以及安徽合肥Innotro存储公司(之前被称为合肥睿力公司)。这也意味着中国大陆的存储芯片空白正式被填补。

风起云涌的闪存市场

长江存储隶属于中国半导体巨头紫光集团。此前,该公司对外披露已经获得了第一个闪存芯片订单,用于生产8GB容量的SD存储卡,订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。

闪存芯片市场近年来一直不平静,2013年开始的暴涨以及2018年开始的暴跌,让闪存芯片出现过山车走势的同时,也影响着全球半导体乃至终端设备市场的走势。

据消息人士称,长江存储公司的闪存芯片月产能只有5000片晶圆(芯片的产量往往描述为原材料晶圆的消耗数量),产能还比较小。

资本、技术密集型产业的特点让上游芯片厂商不得不在闪存涨价周期扩产以攫取更多市场话语权,可问题是即使在跌价周期,上游芯片厂商依旧得持续投入扩张以排挤竞争对手,以期在下一个行业涨价周期获得足够的市场与利润。频繁而剧烈的价格波动让全球存储芯片市场日趋集中化,根据公开数据显示,三星、海力士、美光三家制造商总共占据90%以上的全球DRAM芯片市场份额。

在新产品方面,长江存储正在研发64层的3D NAND闪存,计划在2018年年底前推出样品。

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消息人士称,到2020年,长江存储的闪存芯片产能将提高到月处理10万片晶圆。未来随着三条生产线全部启用,该公司的闪存月产能将提高到35万片到40万片晶圆。

对于利益的追求,让让三星、海力士、美光等闪存芯片巨头不约而同地在2019年下半年表示将要减产提价。一旦闪存芯片减产提价策略成功实施,必然导致智能手机、智能家居等多个市场企业成本的提升,对于小米、华为、OPPO、vivo等近年来强势崛起的我国终端企业而言并非好消息。

和长江存储不同,晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造,两家公司都计划在明年投产。

咽喉被卡的感觉绝对令人难受,好在如同多年前布局液晶面板产业一样,我国不少有识之士早在多年前就在半导体存储芯片领域落子布局,多年来的积淀与低调发展后,国产闪存有望迎来收获期。

晋华公司此前表示,希望在今年底之前,将晋华和台湾联华电子共同开发的第一代内存生产工艺投入使用。不过此前,晋华公司和美国美光科技公司陷入了专利侵权诉讼,这一诉讼是否会影响到晋华的投产计划,尚不详。

2019年量产元年

最近,福州市一所法院向美光科技公司发出了产品禁售令,要求将涉嫌晋华公司专利的26种产品在中国市场停止销售。晋华和联华电子认为这是诉讼获得了初步胜利。美光科技则表示,这一禁售令将影响到公司将近1%的销售额。

如同钢铁、石油是工业时代的“粮食”一样,存储芯片是半导体产业发展最重要的“粮食”。没有存储芯片,个人电脑、智能手机、数码消费产品、通信基站、光通信等设备都无法正常运转。2017年,中国集成电路产品的市场格局,排在前三位的为:存储芯片占比30%,专用集成电路占比28%及模拟集成电路占比17%。中国作为全球电子产品的制造基地,一直以来都是存储器产品最大的需求市场。

行业消息人士称,合肥Innotron公司最近已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产,不过该公司官方尚未对外发布消息。

然而,中国作为最大的集成电路消费国,自身企业的市场占有率却很低,极大的消耗量,自给率却很低,发展国产存储器早早地就成为了国人的共识,因为存储产业不仅关乎国家半导体产业发展,更关乎国家信息存储安全。多年地发展,让我国形成了紫光集团与武汉、南京及成都合作展开的NAND与DRAM项目,兆易创新与合肥合作的DRAM项目,联电与福建省合作的DRAM项目三大存储项目。

Innotron公司过去对外展示了使用19纳米技术生产的8Gb DDR4内存芯片工程样片,该公司计划在明年一季度实现大规模生产。

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在过去两年中,全球存储芯片市场出现火爆场面,价格不断上涨,三星电子、东芝存储公司、美光科技、英特尔、海力士等公司也财报也不断飘红。

持续大规模投入与追赶下,三大存储项目近年来都取得了不错的成绩。紫光旗下的长江存储以武汉新芯为基础,投资240亿美元建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房,同时,长江存储预计在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,2020年计划产能将达到10万片晶圆/月,等到三座晶圆厂完工时产能将扩大到每月35万到40万片晶圆。

不过对于消费者而言,存储芯片涨价提高了购买消费电子产品的成本。

同样以DRAM存储芯片为主的福建晋华,其与UMC台联电联合研发的第一代DRAM内存同样预计2019年量产。此外,合肥长鑫建设的存储芯片工厂预计投资达到72亿美元,将以DRAM存储芯片为主,同样预计2019年投产。

众所周知的是,在智能手机领域,手机厂商争先恐后提升内存的容量,1GB、2GB的内存配置逐步过时,一些高端手机配置的内存甚至超过了传统的个人电脑。

三大国产存储芯片项目都预计在2019年实现量产,单国内终端消费市场的庞大需求,已经足以形成非常大的产值和规模,长此以往,必将同液晶面板一样在全球闪存芯片市场获得一定话语权,不过这显然不是既得利益者愿意见到的结果,以福建晋华为例,其与美光的恩怨、禁售风波以及联电的撤资,都让外界对其2019年的量产目标感到担心。

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