安森美半导体推出碳化硅(SiC澳门金莎娱乐网站

2019-10-27 01:39 来源:未知

电工电气网】讯

SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计,用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统

行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如,数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应的3%,占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求,各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施,以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。

推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅 MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

同时,我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器和牵引逆变器现在正使用宽禁带产品来实现这一目标。

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碳化硅和氮化镓是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。

这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及重要设计资源如器件仿真工具、SPICE模型和应用信息,以帮助设计和系统工程师应对高频电路的开发挑战。

一个主要优势是大大减少开关损耗。首先,这意味着器件运行更不易发热。这有益于整个系统,因为可减少散热器的大小。其次是提高开关速度。设计人员现可远远超越硅MOSFET或IGBT的物理极限。这使得系统可减少无源器件,如变压器、电感和电容器。因此,WBG方案可提高系统能效,减小体积和器件成本,同时提高功率密度。

安森美半导体的1200伏、80毫欧、SiC MOSFET是强固的,符合现代高频设计的需求。它们结合高功率密度及高能效的工作优势,由于器件的更小占位,可显著降低运行成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少,进一步减少物料单成本、尺寸和重量。

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